Проблема с современными «тонкими» технологическими процессами – в том, что для производства очень маленьких «рисунков» на поверхности кристалла используется свет с «большой» длиной волны. «Большая» длина лежит, правда, где-то в области глубокого ультрафиолета, но ситуацию это не меняет – при длине волны 193 нм свет, в силу волновых свойств, попросту огибает препятствия с размерами, почти на порядок меньшими (65-нм транзистор, 35-нм затвор). А уменьшить длину волны не получается – еще чуть-чуть, и излучение станет настолько жестким, что начнет ионизировать большинство используемых сегодня в оптических системах материалов, вынуждая отказаться от линзовых систем в пользу систем зеркал (которые, к слову, в разрабатываемых EUV-установках тоже быстро разрушаются) и совершенно новых фоторезистов. Ведутся разработки систем с промежуточной 157-нм волной, для которой еще можно что-то подобрать без радикальных конструктивных изменений и «мокрых» иммерсионных технологий, использующих принцип уменьшения длины волны в жидкостях с высоким коэффициентом преломления. Но из лабораторий они пока не вышли и к тому же повышают доступное разрешение всего лишь в 1,5–2 раза.
Предложенное еще при переходе индустрии на 90-нм технологический процесс решение можно охарактеризовать как своеобразное «приручение» волновых свойств света, превращение их из врага в союзника. Рисунок маски, который литографическая установка переносит на кремниевую пластину, изменяют особым образом, где-то «подрисовывая» лишнее, где-то «убирая» нужное (OPC – Optical Proximity Correction) и используя в некоторых местах вставки, «поворачивающие» фазу на 180° (APSM – Alternating Phase Shift Mask). Процесс этой «доработки», ведущей от изначальной задумки инженеров к итоговой маске, полностью автоматизирован – новый рисунок попросту пересчитывается на компьютере. В итоге удается даже с обычной 193-нм литографией «рисовать» транзисторы для 45-нм технологии, а вместе с 157-нм и иммерсионными технологиями он обеспечит индустрии вполне приемлемые инструменты и для 32-нм и 22-нм техпроцессов, освоение которых намечено на 2009 и 2011 годы. А там, глядишь, еще что-нибудь изобретут – и почти рентгеновские установки «экстремального ультрафиолета» EUV с длиной волны 13 нм, которые нам обещали к 2003 году (а сегодня обещают к 2009-му), уже не понадобятся. В любом случае запас прочности на ближайшие лет пять у разработчиков процессоров есть.
